RSS100N03HZGTB-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:15A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有低导通电阻特性，典型值为7.5mΩ，可有效降低导通损耗并提升系统效率。其漏源电压（VDSS）为30V，持续漏极电流（ID）可达15A，适用于中高功率电源转换与控制场景。器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适合用于电源管理、电机驱动、开关电路以及各类电子设备中的功率调节模块。
