FDS4410A-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:15A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有出色的导通特性，导通电阻（RDON）低至7.5mΩ，有效降低导通损耗，提升系统能效。漏源电压（VDSS）为30V，可持续承载15A漏极电流（ID），适用于多种中高功率电源管理与控制场景。器件基于成熟半导体工艺打造，具备良好的热稳定性与可靠性，适合应用于开关电源、电机驱动、负载开关及各类电子设备中的功率调节模块。
