IPD90P03P404ATMA1-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:100A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:3.5mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源耐压（VDSS），可承受最高100A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至3.5mΩ，显著降低导通损耗并提升整体效率。该器件适用于高侧电源开关、直流-直流转换器及大电流控制电路，具备优异的热稳定性和高频开关性能，适合用于各类中高功率电子设备的设计与应用，满足对能效和可靠性要求较高的场景需求。
