SQ4410EY-T1_GE3-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:15A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流ID为15A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至7.5毫欧。该器件适用于需要高效功率控制的场景，能够提供良好的电气性能与热稳定性。其低导通电阻特性有助于减少能量损耗，提高系统整体效率。同时，30V的漏源耐压能力使其可胜任多种中低压功率应用环境。
