SI3404HE3-TPA01-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:5.8A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:22mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源耐压（VDSS），可提供连续漏极电流5.8A，导通电阻低至22mΩ，适用于需要高效功率控制的电子设备。该器件采用标准封装形式，具备良好的热稳定性和可靠性，适合应用于电源管理、开关电路、负载驱动以及各类嵌入式系统中，满足高性能与小型化设计需求。
