IRFR3410TRLPBF-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:30A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:35mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有100V的漏源电压（VDSS）和30A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为35mΩ，能够在高功率密度环境下实现较低的能量损耗。器件基于成熟工艺设计，具备良好的热稳定性与开关性能，适用于电源转换、储能系统、高频开关电路及多种电子设备中的功率控制场合，为电路设计提供高效且可靠的核心支持。
