DMP2037U-7-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:7A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:20mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具有20V的漏源击穿电压（VDSS）和7A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至20毫欧，确保了在高负载条件下仍能保持较低的导通损耗。器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和高频响应能力，适用于电源管理、开关电路及各类高效能电子设备中，为电路设计提供可靠且高效的性能支持。
