SI2338DS-T1-BE3-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:5.8A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:22mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有30V漏源电压（VDSS）和5.8A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至22mΩ，有助于提升电路效率并减少发热。器件结构设计优化，具备良好的开关特性和热稳定性，适用于多种中低功率电源管理、开关电路、电池供电设备、消费类电子产品及嵌入式系统的功率控制应用。
