DMN3069L-7-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:5.8A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:22mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备30V漏源电压（VDSS）和5.8A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至22mΩ，可有效降低导通损耗，提高系统效率。器件采用成熟工艺制造，具有良好的稳定性和耐用性，适用于各类中低功率电源转换、开关控制、电机驱动及便携式电子设备中的功率管理场景，满足多样化电路设计需求。
