IRFR1018ETRPBF-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:80A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:6.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下性能参数：最大漏极电流ID为80A，漏源耐压VDSS为60V，导通电阻RDON为6.5mΩ。该器件适用于高功率密度和高效能转换的应用场景，如直流电源转换、高性能电机控制、储能设备以及各类大电流电子装置中的开关与功率调节电路。其低导通电阻有助于减少能量损耗，提升系统工作效率，同时具备良好的热稳定性和负载适应能力。
