DMP2010UFV-7-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:60A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:7mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为P沟道场效应管（MOSFET），具备20V的漏源电压（VDSS）和60A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至7mΩ，可有效降低导通损耗并提升效率。适用于高密度电源转换系统、同步整流电路及负载开关等场景，在高频开关应用中表现出优异的热稳定性和响应速度。该器件采用标准封装形式，便于集成于各类紧凑型电子设备中，满足多样化电路设计需求。
