DMP2010UFV-13-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:60A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:7mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本P沟道场效应管（MOSFET）具有20V漏源耐压（VDSS）、60A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至7mΩ，支持高效率功率开关应用。适用于电源转换、同步整流、负载开关及电池管理电路，在高频工作条件下仍能保持良好稳定性。器件采用通用封装形式，便于PCB集成与散热设计，满足多种高性能电子系统的应用需求。
