FQD19N10TM-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:20A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:80mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备20A连续漏极电流（ID）和100V漏源耐压（VDSS），满足中高功率应用需求。导通电阻（RDON）典型值为80mΩ，有助于减少导通损耗，提高整体能效。器件采用通用封装形式，具备良好的散热性能与可靠性，适用于电源转换、开关控制、电机驱动及照明设备等多种电子系统，为电路设计提供高效且稳定的技术支持。
