AUIRF7343QTR-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:6A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:40mR 参数4：沟道类型:N+P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款NP沟道组合场效应管（MOSFET）具备60V的漏源击穿电压（VDSS）和6A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为40毫欧，支持双向电流控制，适用于需要高效开关性能的电源管理系统。该器件可应用于DC-DC转换器、电源开关、电机驱动及电池保护电路中，具备良好的热稳定性和较高的集成度，有助于简化外围电路设计并提升整体系统效率。
