DMTH3004LPSQ-13-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:90A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:3.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备30V的漏源电压（VDSS）和高达90A的连续漏极电流（ID），适用于高电流、中低压功率应用场合。导通电阻（RDON）低至3.5毫欧，显著减少导通损耗，提高整体能效。器件采用成熟稳定的封装工艺，具备良好的散热性能与可靠性，可广泛用于电源转换器、储能系统、智能家电及高性能计算设备中的开关电路设计，为高效、紧凑型电力电子系统提供有力支持。
