HUF76129D3ST-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:20A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:15mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为N沟道场效应管（MOSFET），具备20A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压VDSS为30V，适用于中低压功率控制场景。导通电阻RDON为15mΩ，在保证性能的同时有助于降低功耗。器件结构优化，响应速度快，适合用于电源开关、直流电机驱动、电池管理系统及高效能转换电路中，满足多种通用功率应用需求。
