DMP3011SFVW-7-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:55A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:8mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源击穿电压（VDSS）和55A的最大连续漏极电流（ID），适用于高电流场景下的稳定工作。导通电阻（RDON）低至8毫欧，可有效降低导通损耗，提高系统效率。采用P沟道结构设计，适合用于电源管理、负载开关、电池供电设备以及各类便携式电子产品中的高效电路控制。其优异的电气性能和广泛的工作范围，使其在复杂环境中仍能保持可靠运行。
