DMN2025U-13-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:6A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:14mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备20V漏源耐压（VDSS）和6A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）仅为14毫欧，确保较低的导通损耗和较高的转换效率。器件适用于各类中功率电源变换、电机驱动、负载开关及电池管理系统等应用场景。其优异的热稳定性和快速开关特性，使其在高频工作环境下仍能保持良好性能，满足多种通用型电路设计对效率与可靠性的要求。
