PMV28UNEAR-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:6A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:22mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为N沟道场效应管（MOSFET），连续漏极电流ID为6A，漏源击穿电压VDSS为20V，适用于中低压功率控制应用。导通电阻RDON为22mΩ，在保证稳定性能的同时有效降低导通损耗。器件具备良好的热稳定性和快速响应特性，适合用于小型电源模块、开关电路、电池供电设备及各类消费类电子产品的功率管理与转换电路中。
