DMN2050L-7-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:6A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:22mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有20V漏源电压（VDSS）和6A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至22毫欧，有效降低功率损耗并提升系统效率。器件适用于各类中功率电源转换、负载开关、电池供电设备及嵌入式控制系统中的高效电路设计。其具备良好的热稳定性和快速开关响应特性，适合高频应用环境，满足多种通用型电子设备对性能与可靠性的需求。
