IRF7413ZTRPBF-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:15A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有15A的最大漏极电流ID，30V的漏源电压VDSS，以及7.5mΩ的导通电阻RDON。该器件适用于多种功率控制应用，如高效电源转换、电池管理系统、直流负载切换及电机控制电路。其低导通电阻有助于降低能耗，提升系统效率。同时具备良好的热稳定性和快速开关响应特性，适合用于对能效和可靠性有要求的中高功率电子设备设计。
