IRF7821TRPBF-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:15A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数包括：漏极电流ID为15A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON为7.5mΩ。该器件适用于多种功率控制场景，如高效电源转换、电池充放电管理、直流电机驱动及智能负载调节等。其低导通电阻可有效减少导通损耗，提升整体系统效率。同时具备良好的开关特性和热稳定性，适合用于对空间和能效有要求的中高功率应用设计。
