SI4686DY-T1-E3-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:15A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：最大漏极电流ID为15A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON为7.5mΩ。该器件在导通状态下具有较低的电阻，有助于减少功率损耗并提升系统效率。适用于各类中高功率电源管理应用，如DC-DC转换器、同步整流电路、电池保护模块及高性能计算设备中的功率控制单元，满足对效率与空间布局有较高要求的电路设计需求。
