SI2336DS-T1-GE3-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:5A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:33mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于需要高效开关性能的各类电子设备。其主要参数包括：漏极电流ID为5A，漏源电压VDSS最大可达30V，导通电阻RDON低至33毫欧，有助于降低功耗并提升系统效率。该器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适合应用于电源管理、适配器、充电器及小型电动设备等领域的高频开关电路中。
