RD3P100SNFRATL-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:15A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:100mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为N沟道场效应管（MOSFET），具备15A的最大漏极电流ID和100V的漏源击穿电压VDSS，适用于多种中高压功率应用场合。导通电阻RDON为100mΩ，有助于降低导通损耗，提升整体效率。器件采用稳定可靠的制造工艺，具有良好的热性能与耐久性，适合用于电源转换、开关控制、电池管理系统及消费类电子设备中的功率切换场景。其参数特性可满足多数常规功率设计需求，适用于广泛领域的电路设计方案。
