SI7884BDP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:55A 参数2：电压VDSS:40V 参数3：RDON:6.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备优异的导通性能与开关特性。其漏极电流ID可达55A，漏源击穿电压VDSS为40V，适用于中高功率电源转换场合。导通电阻RDON低至6.5mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适合应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及各类高效能电子设备中，为电路设计提供灵活且高效的解决方案。
