DMN3053L-7-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:5A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:33mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的开关特性和导通能力，适用于多种电源管理与转换场景。其最大漏极电流ID为5A，漏源击穿电压VDSS为30V，确保在中低功率应用中的稳定运行；导通电阻RDON仅为33毫欧，有效降低导通损耗，提高整体效率。器件结构设计优化，具备良好的温度特性和耐用性，可广泛用于消费类电子产品、便携式充电设备、小型电源模块及各类精密电子装置中的开关控制电路。
