RD3P100SNTL1-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:15A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:100mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），最大漏极电流ID为15A，漏源击穿电压VDSS达100V，适用于中高压功率转换场景。导通电阻RDON为100mΩ，有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统整体效率。该器件具备良好的热稳定性和耐用性，适合用于电源管理、开关电路、电池供电设备及消费类电子产品中的功率控制应用。其性能参数可满足多种常见功率设计需求，适用于多类通用电子系统的开发与实现。
