AO4576_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:18A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源击穿电压（VDSS）和5mΩ的导通电阻（RDON），可持续通过最高18A的漏极电流（ID）。器件采用高密度沟槽工艺，具备优异的导通性能与热稳定性，适用于高效率电源转换、同步整流、电池充放电管理及负载开关等应用。其低导通电阻显著降低功率损耗，提升系统整体能效，适合用于高性能电子设备中的功率控制模块。
