IRF7311TRPBF-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:6A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:21mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本款NN沟道场效应管（MOSFET）具备20V的漏源击穿电压（VDSS）与21mΩ的导通电阻（RDON），可持续承载最高6A的漏极电流（ID）。该器件内部集成双N沟道结构，有助于简化外围电路设计并提升开关效率。其低导通电阻有效减少导通损耗，适用于电源转换、负载开关、电池管理及小型电机控制等应用场景，特别适合对体积与效率有要求的消费类电子和便携式设备使用。
