AOSP32368_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:18A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有优异的导通性能和快速开关特性。其漏极电流ID可达18A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至5mΩ，有助于降低导通损耗并提高系统效率。适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及高密度电力电子设备中的高效能控制场景，满足高性能电路设计对稳定性和效率的严苛需求。
