SI4156DY-T1-GE3-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:18A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有18A的漏极电流能力，漏源耐压为30V，导通电阻低至5mΩ，适用于需要高效开关与稳定性能的电源系统。该器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和高可靠性，可广泛应用于DC-DC转换器、功率调节模块、电池管理系统及各类精密电子设备中，满足多样化电路设计对效率与性能的高要求。
