IRF8113TRPBF-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:18A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本N沟道场效应管（MOSFET）具备18A连续漏极电流能力，漏源电压额定值为30V，导通电阻仅为5mΩ，支持高效、低损耗的功率切换与控制。器件基于高密度沟槽工艺打造，优化了开关速度与导通压降表现，适用于各类电源变换装置、高性能计算设备供电模块、储能系统管理电路以及对空间与效率有较高要求的电子装置中，满足现代电路设计对稳定性和集成度的需求。
