AO4498_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:18A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有较高的电流承载能力，持续漏极电流ID可达18A，漏源电压VDSS为30V，适用于中高功率场合。导通电阻RD(on)低至5mΩ，可有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于电源管理、开关电路、负载控制及各类电子设备中的电能转换与调节模块。
