IRF8113GPBF-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:18A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本N沟道场效应管（MOSFET）具有18A的漏极电流容量和30V的漏源电压耐受能力，适用于多种中高功率电子电路。其导通电阻仅为5mΩ，可显著降低导通损耗，提升系统能效。器件采用成熟封装技术，具备良好的散热性能与长期工作稳定性，适用于电源管理、开关变换、电机控制及各类电子设备中的功率调节模块，为电路设计提供高效、可靠的支持。
