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RJK0354DSP-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装:SOP-8 类别:场效应管(MOSFET) 最小包装:3000/圆盘 参数1:电流ID:18A 参数2:电压VDSS:30V 参数3:RDON:5mR 参数4:沟道类型:N 标价:欢迎咨询

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产品介绍

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本款N沟道增强型场效应管(MOSFET)具有18A的漏极电流能力和30V的漏源击穿电压,适用于多种中高功率电路场景。器件导通电阻低至5mΩ,显著降低导通损耗,提升整体效率。采用成熟工艺制造,具备良好的热稳定性和可靠性,适用于电源适配器、储能系统、便携式电子设备及高性能计算模块中的开关与控制电路设计。

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