DMNH6012SPSQ-13-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:65A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:8mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有65A的连续漏极电流能力和60V的漏源击穿电压，导通电阻RDON典型值为8毫欧。器件具备优异的开关特性和较低的导通损耗，适用于多种中高功率电源变换应用，如高效电源适配器、电池管理系统及直流变换设备。采用成熟封装与制造工艺，确保良好的热稳定性和长期工作可靠性，适合用于电机控制、负载开关以及各类智能家电中的功率电路设计，提供稳定的电气性能和耐用性。
