NVMFS5C673NLAFT1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:65A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:8mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），漏源电压VDSS为60V，连续漏极电流ID可达65A，导通电阻RDON典型值为8毫欧。该器件具备优异的开关性能和较低的导通损耗，适用于多种电源转换系统，如高效能适配器、充电设备及储能控制系统。采用稳定工艺制造，确保良好的热稳定性与长期可靠性，可广泛应用于直流变换器、电机驱动电路及智能家电中的功率开关场景，提供稳定的电气表现和耐用性。
