NVMFS5C673NLWFAFT3G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:65A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:8mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的导通性能和高效能表现，适用于多种高要求电路设计。其主要参数包括：漏极电流ID为65A，漏源电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至8mΩ，可实现快速开关与低功耗运行。器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和耐压能力，适合应用于电源管理、高效能转换器及负载开关等场景，为复杂电路提供可靠支持。
