FDD6676AS-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:80A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源电压（VDSS）和高达80A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）仅为5毫欧，具备优异的导电性能与较低的工作损耗。该器件适用于高电流、高效率的开关电路设计，可广泛用于电源转换器、电池管理系统、电动工具及各类中高功率电子设备中的功率控制与能量传输环节，满足对稳定性和可靠性较高要求的应用场景。
