DMNH6012SPS-13-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:65A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:8mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备高电流承载能力和优异的导通性能，适用于多种功率电子应用。其主要参数包括：漏极电流ID为65A，漏源电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至8mΩ，可有效减少功率损耗并提升系统效率。器件结构设计优化，具有良好的热稳定性和耐高压特性，适合用于高效电源转换、电池充放电管理及高性能负载控制等场景，满足对可靠性和效率有较高要求的电路设计。
