NTMFS5C673NLT3G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:65A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:8mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的电性能和可靠性，适用于多种高要求的电子应用场景。其主要参数包括：最大漏极电流（ID）为65A，漏源电压（VDSS）为60V，导通电阻（RDON）低至8mΩ，有助于降低导通损耗并提高系统效率。器件采用先进的工艺制造，具备良好的热稳定性和耐久性，适用于电源管理、高效能转换器、电池保护电路以及各类精密电子设备中的开关与控制应用。
