SIR4604LDP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:65A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:8mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的电性能表现，适用于多种高效能场景。其漏极电流ID可达65A，漏源电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至8mΩ，有效降低功耗并提升系统效率。器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于电源管理、转换器、电池保护电路及高密度电力电子设备中的开关应用。封装形式可根据需求适配不同场景，满足多样化设计要求。
