NTMFS5C673NLT1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:65A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:8mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备65A的漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDON）低至8mΩ，表现出优异的导电性能与较低的导通损耗。适用于各类中高功率电源系统，如直流变换器、电池管理系统、电机驱动电路及高效能适配器等场景。器件设计注重稳定性和耐用性，可满足多种环境下的开关与控制需求，适合用于对效率与可靠性有较高要求的电子设备中。
