SCT3022KLHRC11-HXY_TO-247_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:81A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:21mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备高性能与高可靠性的特点，适用于多种电源管理及功率控制场景。其主要参数包括：最大漏极电流（ID）为81A，漏源耐压（VDSS）达到1200V，导通电阻（RDON）仅为21mΩ，有助于减少导通损耗并提高系统整体效率。器件采用优化设计，具备良好的热稳定性和快速开关特性，适用于高频电源、储能设备、电机驱动以及各类精密电子装置中的功率控制电路。
