NTH4L020N120SC1-HXY_TO-247H-4L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:81A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:21mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备高耐压与低导通电阻特性。漏极电流ID可达81A，漏源击穿电压VDSS高达1200V，适用于高功率密度电源系统。导通电阻RDON低至21毫欧，显著减少导通损耗，提升整体效率。器件适用于高频开关电源、高效能变换器及要求严苛的电力电子设备，满足对性能与可靠性兼具的应用需求。
