PMV27UPER-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:7A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:20mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具有20V的漏源击穿电压（VDSS）和7A的最大连续漏极电流（ID），适用于中功率负载切换与电源管理场景。其导通电阻（RDON）低至20mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。采用标准封装形式，具备良好的热稳定性和响应速度，适合用于各类消费类电子设备中的开关电路、电机驱动、电池保护及DC-DC转换等应用。器件设计兼顾性能与兼容性，满足多种电源控制需求。
