DMWSH120H28SM4Q-HXY_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:81A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:21mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能。其最大漏极电流ID为81A，导通电阻RDON低至21mΩ，能够有效降低导通损耗，提升系统效率。碳化硅材料的运用使其在高频、高压、高温环境下仍能稳定工作，适用于电源转换、高效能电力控制及高密度功率模块等场景，为复杂电路设计提供更高灵活性和可靠性。
