SCT2H12NZGC11-HXY_TO-3PF_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-3PF 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:5A 参数2：电压VDSS:1700V 参数3：RDON:800mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这是一款N沟道增强型功率场效应管，具有1700V的高漏源击穿电压（VDSS），可持续通过5A的漏极电流（ID）。其导通电阻（RDON）典型值为800mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统效率。栅源额定电压为±22V，具备较好的栅极驱动兼容性与可靠性。该器件适用于高电压、中等电流的开关电源、逆变系统及高压功率控制场合，能够满足对耐压与效率有较高要求的应用场景，是构建高压功率转换电路的优选器件之一。
