G2R1000MT17D-HXY_TO-3PF_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-3PF 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:5A 参数2：电压VDSS:1700V 参数3：RDON:800mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具有1700V的高阻断电压和5A的持续漏极电流能力，导通电阻典型值为800mΩ，可承受最高22V的栅源电压。基于碳化硅材料的特性，器件具备优异的耐压性能和开关特性，适用于高效率、高频率的电力转换场合。其高热导率和耐高温能力有助于提升系统在严苛环境下的稳定性。典型应用包括高压直流变换、大功率开关电源及要求紧凑设计与高可靠性的电力电子装置，适合对功率密度和能效有较高要求的系统集成。
